### 產品簡介

BUK652R1-30C-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝。該器件基于先進的溝槽技術，具有極低的導通電阻和超高的電流處理能力，非常適合在高功率和高效率的開關應用中使用。由于其卓越的性能，BUK652R1-30C-VB 是要求高電流處理和低功耗的電路的理想選擇。

### 詳細參數說明

- **型號**: BUK652R1-30C-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.8mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 140A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **高效電源管理系統**：由于其極低的導通電阻和高電流能力，BUK652R1-30C-VB 是高效開關電源 (SMPS) 的理想選擇，能夠顯著提高電源轉換效率，減少功耗，并提升系統的穩定性。

2. **電機驅動系統**：這款 MOSFET 能夠處理極高的電流，非常適合用于電機驅動模塊，例如電動汽車的電機控制系統和工業自動化設備，實現高效穩定的電流控制。

3. **電池管理系統**：在電池管理系統中，BUK652R1-30C-VB 的低導通電阻有助于優化電池充放電過程，提高電池的效率和可靠性，尤其適合用于電動汽車和大容量儲能系統。

4. **光伏逆變器**：該器件適合用于光伏逆變器的開關部分，因其優秀的電流處理能力和低導通電阻，能夠有效提升光伏系統的整體能效和可靠性。

5. **高功率開關應用**：由于其極低的導通電阻和高電流能力，BUK652R1-30C-VB 也適用于高功率開關應用，如大功率電源轉換器和高頻開關設備，能夠減少功耗并提升系統性能。