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深圳市鑫瑯圖科技有限公司

射頻微波器件代理銷售

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MAGX-100027-015S0P 是一種 GaN-on-Silicon HEMT D 模式晶體管

型號: MAGX-100027-015S0P

--- 產品參數 ---

  • 技術 硅基氮化鎵、氮化鎵
  • 應用行業 雷達、蜂窩、射頻能量、航空電子設備、測試與測量、航空航天與國
  • 連續波/脈沖 連續波,脈沖
  • 頻率 直流至 2.7 GHz
  • 功率(W) 15.13 至 26.91 瓦

--- 產品詳情 ---

MACOM 的 MAGX-100027-015S0P 是一種 GaN-on-Silicon HEMT D 模式晶體管,工作頻率為 DC 至 2.7 GHz。它支持 CW 和脈沖操作,并提供高達 44.3 dBm 的輸出功率和超過 20.7 dB 的增益。該放大器的漏極效率高達 78.3%,需要 50 V 電源電壓。它采用表面貼裝 DFN 封裝,尺寸為 6 x 3 mm,適用于軍事無線電通信、數字蜂窩基礎設施、雷達、航空電子設備和測試儀器等應用。

產品規格

產品詳情

零件號

MAGX-100027-015S0P

制造商

馬康

描述

從 DC 到 2.7 GHz 的 15 W GaN on Si 晶體管

一般參數

晶體管類型

HEMT

技術

硅基氮化鎵、氮化鎵

應用行業

雷達、蜂窩、射頻能量、航空電子設備、測試與測量、航空航天與國防

連續波/脈沖

連續波,脈沖

頻率

直流至 2.7 GHz

力量

41.8 至 44.3 dBm

功率(W)

15.13 至 26.91 瓦

脈沖寬度

100 我們

占空比

10%

小信號增益

17.6分貝

功率增益 (Gp)

15.3 至 17.2 分貝

電源電壓

50 伏

閾值電壓

-2 V(門)

當前的

60毫安

排水效率

52 至 78.3 %

漏電流

1.93 安

漏極漏電流 (Id)

3.3毫安

柵極漏電流 (Ig)

3.3毫安

包裝類型

表面貼裝

包裹

東風

方面

6 x 3 毫米

RoHS

是的

工作溫度

-40 至 85 攝氏度

貯存溫度

-65 至 150 攝氏度

 

MA4SW610B-1

MASW-003102-13590

MASW-008177-000000

MA4SW210

MASW6010G

MA4SW110

MASWSS0202

MA4AGSW5

MAMF-011038

MASW-003103-1364

MA4SW210B-1

SW-231-PIN

MASWCC0010

MAMF-010614

MASW-007221-000000

MASWSS0200

MA4SW510B-1

MASW-002103-1363

MASW-008322

MASW-011030

MASW-007107-000000

MA8334-004

MASW-009482

MASW-004102-12760

MA4SW410

MASW-009276-001DIE

MASW-010647

MASW-000822-12770T

MASW-010612

MASW-008330

MASW-011036

MASWCC0006

MASWCC0009

MASWSS0204

MASW-011043

MASW-005102-13600

MASW-002102-13580

NPTB00004B

MAGX-100027-015S0P

MAGX-101214-500L00

MAMG-102933-030

MAMG-103135-085

MAGX-102731-180

MAMG-100227-010

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