DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
- 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年
- 掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)
- 沒有寫次數(shù)限制
- 低功耗CMOS操作
- 70ns的讀寫存取時(shí)間
- 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)
- ±10% VCC工作范圍(DS1265Y)
- 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)
- 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND
DS1249AB
DS1249Y
DS1265AB
DS1265Y
DS1270AB
DS1270Y
DS1330AB
DS1330Y
DS1345Y
DS1220AB
DS1220AD
DS1225AB
DS1225AD
DS1230AB
DS1230W
DS1230Y
DS1245AB
DS1245W
DS1245Y
DS1250AB
DS1250W
DS1250Y
DS1330W
DS1350W
DS9034PC
DS9034PCI
