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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)： SI4559EY-T1-E3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N+P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

SI4559EY-T1-E3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)參數(shù)說(shuō)明：N+P溝道，±60V，正向電流6.5A，反向電流5A，導(dǎo)通電阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，正負(fù)閾值電壓分別為±1.9V，封裝：SOP8。


應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI4559EY-T1-E3是一款雙溝道MOSFET，適用于高電壓和高電流應(yīng)用，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域模塊。
 

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