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Vishay新款薄膜條MOS電容器能在保持性能的情況下實現更小的產品設計

2018年09月06日 17:20 網絡整理 作者: 工程師青青 用戶評論(0

Vishay針對高功率混合裝配、SiC和GaN應用中的使用環境,推出新的薄膜條MOS電容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可處理高功率,工作電壓高達100V,有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)兩種小外形尺寸,能夠在不犧牲性能的情況下,實現更小的產品設計。

今天推出的這些器件具有高工作電壓和5pF~100pF的電容,以及魯棒的MOS結構,適用于LC、RC或LRC濾波,RF扼流,以及直流隔離和阻抗匹配。對于這些應用,BRCP可以采用多引線鍵合,最小容值的外形A、外形B的電容器分別有7個鍵合和15個鍵合。

條形電容器的TCC低至±50ppm/℃,絕對公差只有±5%。器件具有優異的負載壽命穩定率,可以在-55℃~+150℃溫度范圍內工作。

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( 發表人:何亞瓊 )

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