光電二極管又稱光敏二極管。制造一般光電二極管的材料幾乎全部選用硅或鍺的單晶材料。由于硅器件較鍺器件暗電流、溫度系數(shù)都小得多，加之制作硅器件采用的平面工藝使其管芯結(jié)構(gòu)很容易精確控制，因此，硅光電二極管得到了廣泛應(yīng)用。

? ? ?光電二極管的結(jié)構(gòu)及原理分析

　　光電二極管的結(jié)構(gòu)和普通二極管相似，只是它的PN結(jié)裝在管殼頂部，光線通過透鏡制成的窗口，可以集中照射在PN結(jié)上，圖1（a）是其結(jié)構(gòu)示意圖。光敏二極管在電路中通常處于反向偏置狀態(tài)，如圖1（b）所示。

　　PN結(jié)加反向電壓時，反向電流的大小取決于P區(qū)和N區(qū)中少數(shù)載流子的濃度，無光照時P區(qū)中少數(shù)載流子（電子）和N區(qū)中的少數(shù)載流子（空穴）都很少，因此反向電流很小。但是當光照射PN結(jié)時，只要光子能量hv大于材料的禁帶寬度，就會在PN結(jié)及其附近產(chǎn)生光生電子—空穴對，從而使P區(qū)和N區(qū)少數(shù)載流子濃度大大增加。這些載流子的數(shù)目，對于多數(shù)載流子影響不大，但對P區(qū)和N區(qū)的少數(shù)載流子來說，則會使少數(shù)載流子的濃度大大提高，在反向電壓（P區(qū)接負，N區(qū)接正）作用下，反向飽和漏電流大大增加，形成光電流，該光電流隨入射光照度的變化而相應(yīng)變化。光電流通過負載RL時，在電阻兩端將得到隨人射光變化的電壓信號如果入射光的照度改變，光生電子—空穴對的濃度將相應(yīng)變動，通過外電路的光電流強度也會隨之變動，光敏二極管就把光信號轉(zhuǎn)換成了電信號。

　　測量光電二極管的暗電流

　　測量光電二極管的暗電流，必須在一個不透光的密閉容器中進行，所以作者選擇了熱電致冷器件作為控溫器件，它具有體積小、效率高等優(yōu)點。要獲得光電二極管暗電流的溫度特性參數(shù)，必須在一個溫度范圍內(nèi)每隔$t℃進行恒溫控制來測量暗電流。又因為光電二極管暗電流非常小，在10-13～10-12A量級，所以設(shè)計關(guān)鍵有兩點：

　　（1）恒溫控制;

　　（2）微電流測量。

　　本設(shè)計用熱電致冷器件、溫度探測器和一個反饋放大電路構(gòu)成恒溫控制系統(tǒng)，并設(shè)計了一個微電流計來精確測量暗電流。