那曲檬骨新材料有限公司

您好,歡迎來電子發(fā)燒友網(wǎng)! ,新用戶?[免費注冊]

您的位置:電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子元器件>場效應(yīng)管>

碳化硅功率MOSFET B1M080120HC降低電機驅(qū)動功率損耗

2023年01月12日 14:43 國芯思辰 作者: 用戶評論(0

據(jù)評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。

92bcb1e6-8c01-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

電動機驅(qū)動電路一般原理圖

本文推薦基本半導(dǎo)體的一款碳化硅功率MOSFET B1M080120HC,該器件具有延遲極短、超高耐壓、低導(dǎo)通阻抗、小封裝等優(yōu)勢,可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、羅姆的SCT2080KE、英飛凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型號實現(xiàn)pin to pin替換,為電動機驅(qū)動提供解決方案,具有巨大的市場前景。

具體應(yīng)用優(yōu)勢如下:

1、在電氣特性方面,B1M080120HC可承受的最高電壓達1200V,連續(xù)漏極電流最高可達44A,柵極閾值電壓典型值為3V,即使用普通MCU或者使用TTL電平也可輕松驅(qū)動,完全滿足電動機驅(qū)動的電氣要求。

2、B1M080120HC導(dǎo)通延遲時間20ns,關(guān)斷延遲時間44ns,真正實現(xiàn)電動機驅(qū)動高頻率切換。而且自身功率耗散最高可達241W,可延長其壽命周期,具有更高的穩(wěn)定性。

3、B1M080120HC的導(dǎo)通阻抗的典型值僅為80mΩ,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的系統(tǒng)效率。

4、B1M080120HC的封裝為TO-247-3,工作結(jié)溫范圍為-55~+150℃,結(jié)殼熱阻為0.518K/W,滿足電動機驅(qū)動的工作環(huán)境,可確保系統(tǒng)不會因為損耗過大導(dǎo)致結(jié)溫過高而損壞芯片,更好的應(yīng)用于高溫環(huán)境。

綜上所述,基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可以實現(xiàn)高功率密度,并且在一般輸出功率的應(yīng)用中無需額外添加散熱器,節(jié)省了系統(tǒng)空間。







審核編輯:劉清

非常好我支持^.^

(0) 0%

不好我反對

(0) 0%

( 發(fā)表人:劉芹 )

      發(fā)表評論

      用戶評論
      評價:好評中評差評

      發(fā)表評論,獲取積分! 請遵守相關(guān)規(guī)定!

      ?
      六枝特区| 明升信誉| 新世百家乐官网的玩法技巧和规则| bet365 备用网址| 百家乐技术辅助软件| 百家乐官网威尼斯人| 威尼斯娱乐| 百家乐的弱点| 百家乐什么牌最大| 亚洲百家乐官网论坛| 开心8娱乐城| 大发888娱乐平台下注| 百家乐斗地主炸金花| 百家乐统计概率| 网上百家乐官网真坑人| 婺源县| 大发888下注| 爱赢百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐最好的投注法| 利高百家乐官网的玩法技巧和规则 | 小孟百家乐的玩法技巧和规则 | 网上百家乐官网骗人不| 958棋牌游戏| 大发888娱乐城取款| 利都百家乐国际赌场娱乐网规则| bet365贴吧| 大发888娱乐城贴吧| 百家乐单机游戏下| 百家乐官网15人桌布| 百家乐官网视频台球游戏| 88娱乐城开户| 大发888 备用6222.com| 威尼斯人娱乐城易博| 无锡百家乐的玩法技巧和规则| 什么是百家乐平注法| 百家乐8点直赢| 赌场百家乐官网代理| 至尊百家乐官网facebook| 名门国际| 百家乐娱乐场真人娱乐场| 百家乐规则好学吗|