鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM,F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。
FRAM結(jié)構(gòu)圖
FRAM技術(shù)特點(diǎn):
非易失性:斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,是非易失性存儲(chǔ)器;
讀寫速度快:無延時(shí)寫入數(shù)據(jù),可覆蓋寫入;
壽命長(zhǎng):可重復(fù)讀寫,重復(fù)次數(shù)可達(dá)到萬億次,耐久性強(qiáng),使用壽命長(zhǎng);
功耗低:待機(jī)電流低,無需后備電池,無需采用充電泵電路;
可靠性高:兼容CMOS工藝,工作溫度范圍寬,可靠性高。
FRAM產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
審核編輯 黃昊宇
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存儲(chǔ)器
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