三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)
三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
GDDR7是三星推出的一款高速存儲器產(chǎn)品，其速度高達(dá)37 Gbps，相比現(xiàn)有的GDDR6X，速度提升了50%以上。這款產(chǎn)品將為高性能計(jì)算、人工智能和游戲等領(lǐng)域提供更快的存儲和數(shù)據(jù)處理能力。
此外，三星還將展示其280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。這種技術(shù)有望成為迄今為止儲存資料密度最高的新型3D QLC NAND閃存技術(shù)。相比傳統(tǒng)的2D NAND閃存技術(shù)，3D QLC NAND技術(shù)具有更高的存儲密度和更快的讀寫速度，能夠提供更高的性能和更大的容量。
三星的這些技術(shù)展示將進(jìn)一步鞏固其在存儲器市場的領(lǐng)先地位，并為未來的技術(shù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。隨著人工智能、云計(jì)算和大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對高性能存儲器的需求不斷增加，三星的技術(shù)創(chuàng)新將為這些領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1690瀏覽量
136460 -
存儲器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7528瀏覽量
164341 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1608瀏覽量
31491
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
預(yù)期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層
三星GDDR7顯存技術(shù)驅(qū)動圖形處理新時代
從粗糙的像素點(diǎn)陣到精妙的光線追蹤技術(shù)，從平面的2D視界躍升至栩栩如生的3D世界，計(jì)算機(jī)圖形技術(shù)持續(xù)飛躍，賦予我們前所未有的震撼視覺盛宴。這一壯麗圖景的幕后推手，正是卓越的圖形處理能力。
【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-
發(fā)表于 12-17 17:34
三星推出業(yè)界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片
三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達(dá)42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日，存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破：成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平，更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代
三星已成功開發(fā)16層3D DRAM芯片
在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM
3D NAND閃存來到290層，400層+不遠(yuǎn)了
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前
三星電子研發(fā)16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管
在今年的IEEE IMW 2024活動中，三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中美光更是發(fā)展至8
三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，采用290層雙重堆疊技術(shù)
作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用
三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄
三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236
三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存
據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了
三星、海力士推出GDDR7顯存，最高時速48Gbps、64Gb
值得關(guān)注的是，新型GDDR7內(nèi)存提供的容量選項(xiàng)亦更加多樣化，本次展出的版本即包含16Gb與24Gb兩種款式，分別匹配2GB和3GB顯存容量。據(jù)JEDEC公布的數(shù)據(jù)顯示，未來GDDR7內(nèi)存的運(yùn)行速度有望提高到48Gbps
JEDEC發(fā)布：GDDR7 DRAM新規(guī)范，專供顯卡與GPU使用
三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。
發(fā)表于 03-18 10:35
?811次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論