你是否曾遇到過？

在游戲機產品上，使用ESP32-WROOM-32E/ESP32-WROOM-32UE模組，ESP-IDF版本為IDF v5.1.1時，根據外圍設計原理圖介紹，在模組內置esp32芯片類型使用了QSPI PSRAM的情況下，IO16引腳必須接上拉電阻10K且不能用作其他功能。在這個設計下，外部psram啟用時，psram的cs是輸出低有效，IO16一直輸出低電平會跟VDD33形成短路，即使串了一個10K電阻又因為外面無法修改IO16的引腳狀態，從而導致深度睡眠的時有140uA的大電流，針對這種情況，該怎么去降低模組功耗呢？

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這是咋回事呢？

通過驗證，之前使用不帶psram的模組，深度睡眠的功耗測試為10uA；在10K上拉后IO16引腳端電壓是1.67v， 計算 (3.3v-1.67)/10K=140ua，與目前的實際測試功耗值正好對應。根據以上信息確定是IO16上拉電阻10K電阻導致深度睡眠模式下的功耗增加。

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解決方案

SO easy！

解決方案1：硬件方案、由于該上拉電阻的作用是PSRAM 運行穩定性，無法直接去除，但是可以適當加大這個電阻的阻值來降低功耗；

解決方案2：軟件方案、在項目的menuconfig配置中啟用CONFIG_ESP_SLEEP_PSRAM_LEAKAGE_WORKAROUND配置項，此選項將設置 PSRAM 的 CS 管腳在睡眠期間為 PULL-UP 狀態，從而避免psram的cs 引腳在浮空狀態被識別為低電平時產生大的電流泄漏和保護PSRAM 中的數據不被被其他 SPI 引腳上的隨機信號破壞。