密歇根大學的研究團隊開發了一種新型的固態存儲設備，該設備因其卓越的耐高溫特性而有望成為計算機內存的關鍵替代選項。與常規的硅基存儲技術相比，這種創新設備能夠在超過 600°C 的極端高溫條件下進行數據的存儲和重寫，這一溫度水平甚至超越了金星表面的溫度以及鉛的熔點。

密歇根大學材料科學與工程系的助理教授，同時也是本研究的主要通訊作者 Yiyang Li 指出：“目前我們已成功開發出一種能夠存儲單比特數據的設備，其性能與其他高溫計算機內存技術相當。隨著進一步的研究和資金投入，理論上該設備具備擴展到兆字節或千兆字節數據存儲的能力。”

盡管研究顯示，向這種新型存儲器寫入信息需要250°C以上的高溫，但通過使用加熱器可以解決這一問題，從而使設備在更低的溫度下也能正常運作。

與傳統基于硅的存儲技術相比，這種新型設備具有顯著的優勢。它利用帶負電的氧原子來存儲數據，而非依賴電子。當溫度超過150°C時，傳統的硅基半導體會開始導通不可控制的電流，從而導致存儲信息的丟失。然而，由于沒有這種限制，即使在600°C以上的高溫下，這種新型設備仍然能夠穩定地保存數據。

這項研究是與桑迪亞國家實驗室合作完成的，并已在《Device》雜志上發表。