在近期的2024年IEEE國際電子器件會議(IEDM 2024)上，英特爾代工展現了一系列創新技術，為半導體行業的未來發展注入了強勁動力。

在新材料領域，英特爾代工推出的減成法釕互連技術，成功將線間電容降低了最高25%，這一突破性的成果有望極大地改善芯片內部的互連性能，提升整體運算效率。

此外，英特爾代工還率先發布了一種用于先進封裝的異構集成解決方案。該方案通過創新的封裝技術，實現了超快速的芯片間組裝，吞吐量提升高達100倍，為高性能計算和低功耗應用提供了全新的可能性。

為了推動全環繞柵極(GAA)技術的進一步微縮，英特爾代工展示了硅基RibbionFET CMOS技術和2D場效應晶體管(2D FETs)的柵氧化層模塊。這兩項技術不僅提高了設備的性能，還為半導體器件的微縮化提供了新的思路和方法。

這些技術突破不僅展示了英特爾代工在半導體領域的創新實力，更為全球半導體行業的未來發展指明了方向。相信在英特爾代工的推動下，半導體行業將迎來更加繁榮和可持續的發展。