全球領先的半導體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項重要技術創新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF。這兩款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等關鍵應用領域設計,旨在提供卓越的大電流開關性能。
RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF的推出,標志著瑞薩電子在半導體技術領域的又一次重大突破。這兩款MOSFET憑借出色的電氣特性和熱穩定性,將為用戶帶來更高效、更可靠的解決方案。
據悉,基于這兩款創新產品的終端設備將廣泛應用于多個領域,包括但不限于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心以及不間斷電源(UPS)等。這些應用領域的拓展,不僅進一步證明了瑞薩電子在半導體技術方面的領先地位,也預示著未來電子設備在能效和可靠性方面將迎來顯著提升。
瑞薩電子的這一創新成果,無疑將為全球半導體行業注入新的活力,推動相關領域的快速發展。
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7240瀏覽量
214257 -
半導體
+關注
關注
334文章
27703瀏覽量
222610 -
瑞薩電子
+關注
關注
37文章
2876瀏覽量
72401
發布評論請先 登錄
相關推薦
SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉換領域

瑞薩電子推出全新Type-C端口控制器和升降壓電池充電器
瑞薩電子發布全新USB-PD解決方案
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述

瑞薩電子推出全新AnalogPAK可編程混合信號IC系列
AP9193 LED大功率升壓恒流驅動芯片
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯設計方案

AP9193 LED大功率升壓恒流驅動芯片
瑞薩電子宣布為擴大功率半導體產能重啟甲府工廠
基本半導體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

評論