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IGBT及其子器件的幾種失效模式
- IGBT(242700)
- 其子器件(5892)
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4096電子元器件的失效模式與機(jī)理
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1927分類(lèi)細(xì)敘各類(lèi)電子元器件的失效模式與機(jī)理
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2019-09-02 09:46:347841
7841微波器件在使用中失效的主要原因、分類(lèi)及其分布
對(duì)約 50例微波器件失效分析結(jié)果進(jìn)行了匯總和分析 ，闡述了微波器件在使用中失效的主要原因、分類(lèi)及其分布。匯總情況表明 ，由于器件本身質(zhì)量和可靠性導(dǎo)致的失效約占 80% ，其余 20%是使用不當(dāng)造成的。
2020-05-10 10:37:231698
1698常見(jiàn)的電子元器件的失效機(jī)理及其分析
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開(kāi)路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。對(duì)于硬件工程師來(lái)講電子元器件失效是個(gè)非常麻煩的事情，比如某個(gè)半導(dǎo)體器件外表完好但實(shí)際上已經(jīng)半失效
2020-06-29 11:15:216642
6642一文詳解電子元器件失效的分類(lèi)、檢測(cè)和案例
元器件設(shè)計(jì)、材料、結(jié)構(gòu)、工藝缺陷引起的失效是元器件常見(jiàn)失效之一，其失效由元器件自身缺陷決定，應(yīng)用環(huán)境和工作中施加的條件是失效的外因，不管應(yīng)用環(huán)境和工作中施加的條件是否出現(xiàn)異常均可出現(xiàn)失效。
2020-10-12 14:38:443854
3854關(guān)于IGBT的封裝失效機(jī)理的詳細(xì)講解
IGBT的封裝失效機(jī)理 輸出功率器件的可信性就是指在要求標(biāo)準(zhǔn)下，器件進(jìn)行要求作用的工作能力，一般用使用期表明。因?yàn)榘雽?dǎo)體材料器件主要是用于完成電流量的轉(zhuǎn)換，會(huì)造成很大的輸出功率耗損，因而，電力
2020-12-09 16:34:121379
1379元器件失效機(jī)理有哪幾種？資料下載
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供元器件失效機(jī)理有哪幾種？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-23 08:44:4318
18動(dòng)力電池系統(tǒng)失效模式的分類(lèi)
考慮各種失效模式以提高動(dòng)力電池安全性。 動(dòng)力電池系統(tǒng)通常由電芯、電池管理系統(tǒng)、Pack系統(tǒng)含功能元器件、線束、結(jié)構(gòu)件等相關(guān)組建構(gòu)成。動(dòng)力電池系統(tǒng)失效模式，可以分為三種不同層級(jí)的失效模式，即電芯失效模式、電池管理系
2021-07-26 11:26:133381
3381電容失效模式和失效機(jī)理分析
電容器的常見(jiàn)失效模式有： ――擊穿短路；致命失效 ――開(kāi)路；致命失效 ――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效 ――漏液；部分功能失效 ――引線腐蝕
2021-12-11 10:13:532688
2688電阻器常見(jiàn)的失效模式與失效機(jī)理
失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。
失效機(jī)理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過(guò)程。
2022-02-10 09:49:0618
18如何預(yù)防IGBT模塊因?yàn)楦邼?b class="flag-6" style="color: red">失效
接上一篇討論了IGBT應(yīng)用的環(huán)境，在什么條件下算是高濕？而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論，從用戶端的角度，如何預(yù)防IGBT模塊因?yàn)楦邼?b class="flag-6" style="color: red">失效？
2022-07-10 11:55:271964
1964TVS的失效模式和失效機(jī)理
摘要：常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞．這是 TvS 生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免
2022-10-11 10:05:014603
4603連接器的電接觸失效及其原因
對(duì)于連接器的失效模式，它主要分為：電接觸失效、絕緣失效、機(jī)械連接失效和其它失效等四類(lèi)。從連接器現(xiàn)場(chǎng)使用情況和失效故障數(shù)據(jù)的收集來(lái)看，電接觸失效占比最大，約為現(xiàn)場(chǎng)總失效數(shù)的四到五成。
2022-10-24 15:26:461045
1045引起IGBT失效的原因有幾種
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。
2023-01-13 10:14:581363
1363IGBT失效模式和失效現(xiàn)象
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級(jí)的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類(lèi)。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負(fù)載波動(dòng)、驅(qū)動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319
19IGBT失效及壽命預(yù)測(cè)
實(shí)際應(yīng)用中，IGBT常見(jiàn)的兩種失效機(jī)理：
突發(fā)失效：即自發(fā)的，不可預(yù)知的失效
漸變失效：可預(yù)測(cè)的失效，隨著時(shí)間推移慢慢產(chǎn)生，制造商起著決定性的作用
1、突發(fā)失效：應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過(guò)
2023-02-24 15:08:582
2瑞隆源電子自研項(xiàng)目一種外置失效裝置的開(kāi)路失效模式放電管及其電子電路
圖1 氣體放電管 深圳市瑞隆源電子有限公司（下稱：瑞隆源電子）研發(fā)了一種外置失效裝置的開(kāi)路失效模式放電管及其電子電路，如圖1所示，其放電管包括瓷管以及將瓷管兩端貫通的端口封閉的兩端電極，瓷管與端電極
2023-03-06 16:22:58414
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壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理
失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117
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元器件失效分析方法
出現(xiàn)同一類(lèi)問(wèn)題是非常可怕的。失效分析基本概念定義：對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷過(guò)程。1、進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機(jī)理，提出糾
2021-06-26 10:42:531186
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連接器最主要的失效模式是什么？
CNLINKO凌科電氣連接器知識(shí)分享連接器作為重要的電子元器件，擔(dān)負(fù)著系統(tǒng)內(nèi)部以及系統(tǒng)之間的信號(hào)連接和電能傳輸?shù)闹厝巍Ｔ陂L(zhǎng)期使用的過(guò)程中不免會(huì)存在不同程度失效的情況。那么連接器主要的失效模式
2022-10-18 09:40:19521
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芯片小課堂 | 失效模式與FMEDA
失效模式與FMEDA-第88期-PART01失效模式首先，何謂失效？ISO26262中對(duì)“故障”、“錯(cuò)誤”、“失效”的定義如下：故障（Fault）:可引起要素或相關(guān)項(xiàng)失效的異常情況。錯(cuò)誤（Error
2023-03-06 10:36:324330
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瑞隆源電子自研項(xiàng)目一種外置失效裝置的開(kāi)路失效模式放電管及其電子電路
圖1氣體放電管深圳市瑞隆源電子有限公司（下稱：瑞隆源電子）研發(fā)了一種外置失效裝置的開(kāi)路失效模式放電管及其電子電路，如圖1所示，其放電管包括瓷管以及將瓷管兩端貫通的端口封閉的兩端電極，瓷管與端電極之間
2023-03-06 17:40:34337
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介紹幾種常見(jiàn)的保護(hù)器件類(lèi)型
保護(hù)器件用于保護(hù)電路和設(shè)備免受電力故障或其他損壞。以下是幾種常見(jiàn)的保護(hù)器件類(lèi)型及其說(shuō)明：
2023-07-26 09:41:481182
1182半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機(jī)理分析
本文通過(guò)對(duì)典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過(guò)對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對(duì)各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930
930p柱浮空的超結(jié)IGBT器件的設(shè)計(jì)案例
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000
0低溫對(duì)電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？
。今天我們就來(lái)詳細(xì)了解一下低溫對(duì)電子元器件的影響及其失效原因。 1. 低溫對(duì)電子元器件的影響 低溫是指物體的溫度在0℃以下的狀態(tài)。在這種環(huán)境下，電子元器件的物理、化學(xué)和電學(xué)性質(zhì)都會(huì)發(fā)生變化，主要表現(xiàn)為以下幾個(gè)方面。
2023-08-29 16:29:019855
9855芯片粘接失效模式和芯片粘接強(qiáng)度提高途徑
芯片粘接質(zhì)量是電路封裝質(zhì)量的一個(gè)關(guān)鍵方面，它直接影響電路的質(zhì)量和壽命。文章從芯片粘接強(qiáng)度的失效模式出發(fā)，分析了芯片粘接失效的幾種類(lèi)型，并從失效原因出發(fā)對(duì)如何在芯片粘接過(guò)程中提高其粘接強(qiáng)度提出了四種
2023-10-18 18:24:02399
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IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎？IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種？
IGBT的工作原理 IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎？IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種？ 一、IGBT的工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即增強(qiáng)型
2023-10-19 17:08:082592
2592igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269
1269光耦失效的幾種常見(jiàn)原因及分析
光耦失效的幾種常見(jiàn)原因及分析? 光耦是一種光電耦合器件，由發(fā)光二極管和光探測(cè)器組成。它能夠?qū)㈦娏餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，或者將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)。但是，由于各種原因，光耦可能會(huì)出現(xiàn)失效的情況。本文
2023-11-20 15:13:441445
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保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45266
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IGBT的失效模式與失效機(jī)理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來(lái)展望
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721
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