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電子發燒友網>電子資料下載>電源技術>ir2110s原文資料下載

ir2110s原文資料下載

2017-03-26 | pdf | 326KB | 次下載 | 1積分

資料介紹

ir2110s資料

  Features ? Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +500V or +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune ? Gate drive supply range from 10 to 20V ? Undervoltage lockout for both channels ? 3.3V logic compatible Separate logic supply range from 3.3V to 20V Logic and power ground ±5V offset ? CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down ? Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic ? Matched propagation delay for both channels ? Outputs in phase with inputs

  

  Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 500 or 600 volts

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