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FOD3184 輸出電流為3A的高速MOSFET / IGBT柵極驅動光耦合器

數據:

FOD3184是輸出電流為3A的高速MOSFET / IGBT柵極驅動光耦合器。它由鋁砷化鎵(AlGaAs)發(fā)光二極管(LED)組成,該二極管與具有PMOS和NMOS輸出功率晶體管集成電路功率級的CMOS感測器進行光耦合。它非常適用于等離子顯示板(PDP)中使用的高頻驅動的功率MOSFETS / IGBT,電機控制逆變器以及高性能的DC-DC轉換器中。 >該器件封裝在8引腳雙列直插式外殼內,兼容260°C回流焊接工藝,符合無鉛焊接的規(guī)定。
特性
  • 具有35kV /μs共模抑制特點的高抗噪能力
  • 保證工作溫度范圍為-40°C至100°C
  • 為中等功率的MOSFET / IGBT提供最低3A的峰值輸出電流
  • 快速開關速度
  • 210ns(最大值)傳播延遲
  • 65ns(最大值)脈寬失真度
  • 快速輸出上升/下降時間
  • 提供較低的動態(tài)功耗
  • 250kHZ最大開關速度廣泛的V
  • CC 工作電壓范圍,從15V至30V
  • 使用P溝道MOSFET作為輸出級可使輸出電壓擺幅接近供電軌(軌道到軌輸出)
  • 帶滯后的欠壓閉鎖保護(UVLO) - 優(yōu)化用于驅動IGBT
  • 安全和法規(guī)認證
  • 1分鐘UL1577,3,750 VAC RMS
  • 最小爬電距離為8.0mm
  • IEC60747-5-2,1,414峰值工作絕緣電壓(待審批)
  • 最小絕緣厚度為0.5mm
  • 最小爬電距離8.0mm(選項T )
應用
  • AC-DC商用電源
  • 發(fā)電和配電
  • 工業(yè)級電機
  • 不間斷電源

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(9)
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